Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
Авторы
 Петросянц К.О.
 Кожухов М.В.
 Попов Д.А.
Год публикации
 2018
Тип работы
 статья в научном журнале
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов. Наноиндустрия. 2018. №S (82). С. 404-405. DOI:10.22184/1993-8578.2018.82.404.405.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН