Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Comparative Analysis of Standard Cells Performance for 7nm FinFET and 28nm CMOS Technologies with Considering for Parasitic Elements
Авторы
 Ilin S.A.
 Ryzhova D.I.
 Korshunov A.V.
Год публикации
 2018
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Ilin S.A., Ryzhova D.I., Korshunov A.V. Comparative Analysis of Standard Cells Performance for 7nm FinFET and 28nm CMOS Technologies with Considering for Parasitic Elements. IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus). Saint Petersburg Electrotechn Univ LETI. RUSSIA, JAN 29-FEB 01, 2018. С. 1360-1363. DOI:10.1109/EIConRus.2018.8317349.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН