Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Models and Methods of Inter-Gate Resynthesis at The Transistor Level for Nanoelectronic Circuits Based on Finfets
Авторы
 Gavrilov S.V.
 Ryzhova D.I.
 Vasilyev N.O.
Год публикации
 2018
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Gavrilov S.V., Ryzhova D.I., Vasilyev N.O. Models and Methods of Inter-Gate Resynthesis at The Transistor Level for Nanoelectronic Circuits Based on Finfets. IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus). Saint Petersburg Electrotechn Univ LETI, RUSSIA, JAN 29-FEB 01, 2018. С. 1364-1367. DOI:10.1109/EIConRus.2018.8317350.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН