|
Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора |
|
|
Авторы |
| Петросянц К.О. |
| Торговников Р.А. |
Год публикации |
| 2011 |
Тип работы |
| статья в научном журнале |
|
Ссылка на статью |
| Петросянц К.О., Торговников Р.А. Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора. Известия вузов. Электроника. 2011. № 5. С. 106-108. |
|
|
Сайт ИППМ
Сайт ИнфоМЭС
Обратная связь
|
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved. Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года. |
Разработка сайта - ИППМ РАН
|