Home  Catalogue of authors Catalogue of works Full search Add papers Login

Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учётом эффекта саморазогрева
Authors
 Петросянц К.О.
 Торговников Р.А.
Date of publication
 2011
Type of work
 статья в научном журнале
Library reference
 Петросянц К.О., Торговников Р.А. Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учётом эффекта саморазогрева. Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных тр. / под ред. В.Я. Стенина. М.: МИФИ, 2011. С. 267-273.
To IPPM site    To InfoMES site    Feedback
Copyright © 2012-2024 IPPM RAS. All Rights Reserved.
Updated and substantially revised version of system of 2016.
Design of site: IPPM RAS