Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учётом эффекта саморазогрева
Авторы
 Петросянц К.О.
 Торговников Р.А.
Год публикации
 2011
Тип работы
 статья в научном журнале
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Торговников Р.А. Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учётом эффекта саморазогрева. Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных тр. / под ред. В.Я. Стенина. М.: МИФИ, 2011. С. 267-273.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН