|
Разработка метода оценки площади отключающего транзистора в технологии MTCMOS |
|
|
Авторы |
| Волобуев П.С. |
| Рыжова Д.И. |
Год публикации |
| 2014 |
Тип работы |
| текст доклада на конференции |
|
Ссылка на статью |
| Волобуев П.С., Рыжова Д.И. Разработка метода оценки площади отключающего транзистора в технологии MTCMOS. 21-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2014». М.: МИЭТ, апрель 2014. С. 64. |
|
|
Сайт ИППМ
Сайт ИнфоМЭС
Обратная связь
|
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved. Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года. |
Разработка сайта - ИППМ РАН
|