Home  Catalogue of authors Catalogue of works Full search Add papers Login

Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком
Authors
 Петросянц К.О.
 Попов Д.А.
 Самбурский Л.М.
Date of publication
 2015
Type of work
 статья в научном журнале
Library reference
 Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком. Известия ВУЗов. Электроника. 2015. № 1. С. 38-43.
To IPPM site    To InfoMES site    Feedback
Copyright © 2012-2024 IPPM RAS. All Rights Reserved.
Updated and substantially revised version of system of 2016.
Design of site: IPPM RAS