Home  Catalogue of authors Catalogue of works Full search Add papers Login

Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
Authors
 Петросянц К.О.
 Торговников Р.А.
Date of publication
 2008
Type of work
 текст доклада на конференции
Library reference
 Петросянц К.О., Торговников Р.А. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора. Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 231-234.
To IPPM site    To InfoMES site    Feedback
Copyright © 2012-2024 IPPM RAS. All Rights Reserved.
Updated and substantially revised version of system of 2016.
Design of site: IPPM RAS