Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.
Самбурский Л.М. (Sambursky L.M.)
| 2005 | |
| |  | Самбурский Л.М.
SPICE-модели оптоэлектронных элементов для расчета фоточувствительных КМОП-ФД БИС |
| 2008 | |
| | | Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М.
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия |
| 2011 | |
| | | Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Yatmanov A.P.
SOI/SOS MOS-Transistor Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects |
| | | Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N.
TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Орехов Е.В.
Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния отдельных ядерных частиц |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Ятманов А.П.
Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты |
| 2012 | |
| | | Дрозденко Е.С., Петросянц К.О., Поварницына З.М., Харитонов И.А., Хотькова О.А., Самбурский Л.М., Черный А.И.
Определение параметров spice-модели КНС МОП-транзисторов для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В.
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М.
SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С.
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П.
Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Дрозденко Е.С., Поварницына З.М., Богатырев В.Н.
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel |
| | | Дрозденко Е.С., Самбурский Л.М.
Аппаратно-программный комплекс для параметрического и функционального контроля фрагментов АЦ/ЦА БИС |
| | | Консбаев К., Самбурский Л.М.
Разработка системы автоматизации измерений характеристик и экстракции радиационных параметров макромодели КНИ/КНС МОП-транзисторов |
| 2013 | |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М.
Сравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects |
| | | Самбурский Л.М.
Моделирование перекрёстных электрических помех в КМОП-ФД матрице |
| | | Орехов Е.В., Пугачев А.А., Самбурский Л.М., Торговников Р.А.
Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ |
| 2014 | |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов |
| | | Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Торговников Р.А., Пугачев А.А.
Приборно-технологическая модель p-канального SiGe S/D ГМОПТ с учетом эффектов воздействия электронного излучения |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M.
Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence |
| | | Orekhov E.V., Sambursky L.M., Torgovnikov R.A., Pugachev A.A.
Modeling of mobility degradation in electron-irradiated SiGe p-type MOSFETs with different Ge concentration |
| 2015 | |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Определение параметров Spice-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (-60 °C … +125 °C) |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Олухов В.М.
Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в Spice-моделях биполярных транзисторов и диодов |
| | | Лебедев В., Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) |
| | | Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М.
Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V.
IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.
Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В.
Автоматизация измерений электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Mokeev A.S.
Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects |
| 2016 | |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерение электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации |
| | | Petrosyants K.O., Lebedev S.V., Sambursky L.M., Stakhin V.G., Kharitonov I.A.
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C) |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации |
| 2018 | |
| | | Петросянц К.О., Исмаил-Заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до -200°С |
| 2020 | |
| | | Petrosyants K.O., Ismail-zade M.R., Sambursky L.M.
The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range |
| | | Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V., Ismail-zade M.R., Kharitonov I.A.
SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from-200? C to+ 300? C) |
| | | Petrosyants K.O., Ismail-zade M.R., Sambursky L.M.
Compact Si JFET model for cryogenic temperature |
| | | Petrosyants K.O., Popov D.A., Ismail-zade M.R., Sambursky L.M., Bo Li, Wang Y.C.
Tcad and spice models for account of radiation effects in nanoscale mosfet structures |
| |
