Listing of all the works of the author. Click on the work title to get the full information.

2008
		Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М. Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
2011
		Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N. TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies
		Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Орехов Е.В. Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния отдельных ядерных частиц
2012
		Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
		Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ
		Попов Д.А., Орехов Е.В. Исследование влияния неравномерного легирования канала на основные параметры КНИ МОП-транзистора с длиной канала 0.08 мкм
		Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы
2013
		Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Kharitonov I.A., Popov D.A. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
		Орехов Е.В., Пугачев А.А., Самбурский Л.М., Торговников Р.А. Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ
2014
		Orekhov E.V., Sambursky L.M., Torgovnikov R.A., Pugachev A.A. Modeling of mobility degradation in electron-irradiated SiGe p-type MOSFETs with different Ge concentration
		Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Торговников Р.А., Пугачев А.А. Приборно-технологическая модель p-канального SiGe S/D ГМОПТ с учетом эффектов воздействия электронного излучения