Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.

2011
		Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N. TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies
2012
		Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы
		Попов Д.А., Орехов Е.В. Исследование влияния неравномерного легирования канала на основные параметры КНИ МОП-транзистора с длиной канала 0.08 мкм
2013
		Petrosyants K.O., Popov D.A. Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Fine PCB Copper Traces on Polyimide, Aluminium and Ceramic (Al2O3) Substrates
		Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Kharitonov I.A., Popov D.A. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
		Петросянц К.О., Харитонов И.А., Попов Д.А. Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева
		Petrosyants K.O., Kortunov A.V., Kharitonov I.A., Popov D.A., Gomanilova N.B., Rjabov N.I. Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces
		Петросянц К.О., Попов Д.А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD
		Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Popov D.A. Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU
2015
		Лебедев В., Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М., Стахин В.Г., Харитонов И.А. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
		Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком
2018
		Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
		Петросянц К.О., Попов Д.А. Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида
2020
		Petrosyants K.O., Popov D.A., Ismail-zade M.R., Sambursky L.M., Bo Li, Wang Y.C. Tcad and spice models for account of radiation effects in nanoscale mosfet structures
		Petrosyants K.O., Popov D.A. Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
2021
		Петросянц К.О., Силкин Д.С., Попов Д.А., Bo Li, Xu Zhang TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации
		Петросянц К.О., Силкин Д.С., Попов Д.А. Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET