Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Numerical simulation of semiconductor devices by the MEP energy-transport model with crystal heating
Авторы
 Romano V.
 Rusakov A.S.
Год публикации
 2012
Тип работы
 статья в научном журнале
Ссылка на статью
 Romano V., Rusakov A.S. Numerical simulation of semiconductor devices by the MEP energy-transport model with crystal heating. Scientific Computing in Electrical Engineering. Book series: Mathematics in Industry, Subseries: The European Consortium for Mathematics in Industry. 2012. V. 16. Springer, pp. 357-366, ISBN 978-3-642-22452-2.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН