Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Приборное и схемотехническое моделирование характеристик Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного облучения
Авторы
 Кожухов М.В.
 Торговников Р.А.
Год публикации
 2011
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Кожухов М.В., Торговников Р.А. Приборное и схемотехническое моделирование характеристик Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного облучения. Материалы X научно-технической конференции молодых специалистов «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Дубна, Моск. обл., окт. 2011. С. 170-172.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН