Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Modeling of mobility degradation in electron-irradiated SiGe p-type MOSFETs with different Ge concentration
Авторы
 Orekhov E.V.
 Sambursky L.M.
 Torgovnikov R.A.
 Pugachev A.A.
Год публикации
 2014
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Orekhov E.V., Sambursky L.M., Torgovnikov R.A., Pugachev A.A. Modeling of mobility degradation in electron-irradiated SiGe p-type MOSFETs with different Ge concentration. Int. Conf. “Micro- and Nanoelectronics– 2014" (ICMNE-2014). Proc. of SPIE, Oct. 2014. P. P2-24.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН