Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Приборно-технологическая модель p-канального SiGe S/D ГМОПТ с учетом эффектов воздействия электронного излучения
Авторы
 Орехов Е.В.
 Самбурский Л.М.
 Торговников Р.А.
 Пугачев А.А.
Год публикации
 2014
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Торговников Р.А., Пугачев А.А. Приборно-технологическая модель p-канального SiGe S/D ГМОПТ с учетом эффектов воздействия электронного излучения. XIII научно-технической конференции специалистов "Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА." ("Пульсар - 2014"), Дубна, 8-10 октября 2014. С. 167-169.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН