Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-mkm DSOI CMOS Technology
Авторы
 Yuchong Wang
 Fanyu Liu
 Bo Li
 Binhong Li
 Yang Huang
 Can Yang
 Junjun Zhang
 Guoqing Wang
 Jiajun Luo
 Zhengsheng Han
 Petrosyants K.O.
Год публикации
 2021
Тип работы
 статья в научном журнале
Ссылка на статью
 Yuchong Wang, Fanyu Liu, Bo Li, Binhong Li, Yang Huang, Can Yang, Junjun Zhang, Guoqing Wang, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, Petrosyants K.O. Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-mkm DSOI CMOS Technology. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2021. Vol. 68. № 8. P. 1660-1667. doi 10.1109/TNS.2021.3094669.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН