Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.
Петросянц К.О. (Petrosyants K.O.)
| 2005 | |
| |  | Черный А.И., Богатырев В.Н., Поварницына З.М., Петросянц К.О., Харитонов И.А., Карелин А.А.
Проектирование и разработка ОУ на основе КМОП КНИ технологии |
| | | Петросянц К.О., Рябов Н.И., Казаков В.И., Макеев В.В., Русаков Д.Н., Чиркин Г.К.
Моделирование транзисторных структур силовой электроники |
| 2006 | |
| | | Петросянц К.О., Ширабайкин Д.Б.
Математическое моделирование электромиграционных отказов межуровневых соединений БИС |
| | | Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора |
| | | Петросянц К.О., Козынко П.А.
Совершенствование подсистемы теплового моделирования печатных плат в САПР Mentor Graphics |
| 2008 | |
| | | Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора |
| | | Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А., Козынко П.А.
Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics |
| | | Петросянц К.О.
Тепловое моделирование компонентов МЭС: от субмикронных элементов СБИС до сложных электронных блоков |
| | | Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М.
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия |
| 2010 | |
| | | Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС |
| 2011 | |
| | | Petrosyants K.O., Vologdin E.N., Smirnov D.A., Torgovnikov R.A., Kozhukhov M.V.
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Орехов Е.В.
Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния отдельных ядерных частиц |
| | | Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Ятманов А.П.
Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты |
| | | Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Yatmanov A.P.
SOI/SOS MOS-Transistor Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects |
| | | Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N.
TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies |
| | | Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учётом эффекта саморазогрева |
| 2012 | |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Адонин А.С., Сидоров А.В., Александров А.В.
Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В.
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Дрозденко Е.С., Поварницына З.М., Богатырев В.Н.
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel |
| | | Грязнов Е.Г., Мансуров А.Н., Петросянц К.О.
Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс |
| | | Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Оценка эффективности теплоотвода BGA-корпусов ИМС с помощью квазитрёхмерного теплового моделирования на ЭВМ |
| | | Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В.
Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы |
| | | Козынко П.А., Петросянц К.О., Сидоров А.В., Харитонов И.А., Чичканов Е.Н.
New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С.
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П.
Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ |
| | | Кожухов И.Б., Петросянц К.О.
SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure |
| | | Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS |
| | | Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Quasi-3D approach for BGA Package Thermal Modeling |
| | | Дрозденко Е.С., Петросянц К.О., Поварницына З.М., Харитонов И.А., Хотькова О.А., Самбурский Л.М., Черный А.И.
Определение параметров spice-модели КНС МОП-транзисторов для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры |
| | | Петросянц К.О., Попов А.А.
Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Embedded PCB Traces |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М.
SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек |
| | | Петросянц К.О.
Программно-аппаратный комплекс для расчёта и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения |
| 2013 | |
| | | Харитонов И.А., Александров А.В., Гоманилова Н.Б., Малышев А.А., Петросянц К.О., Самодуров Д.А., Чемеза Д.М.
Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры |
| | | Petrosyants K.O., Kortunov A.V., Kharitonov I.A., Popov D.A., Gomanilova N.B., Rjabov N.I.
Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Popov D.A.
Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU |
| | | Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Kharitonov I.A., Popov D.A.
TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs |
| | | Petrosyants K.O., Popov D.A.
Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Fine PCB Copper Traces on Polyimide, Aluminium and Ceramic (Al2O3) Substrates |
| | | Petrosyants K.O., Popov A.A.
Experimental investigation of temperature-current rise in fine PCB copper traces on polyimide, aluminium and ceramic (Al2O3) substrates |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects |
| | | Петросянц К.О., Попов Д.А.
Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD |
| | | Петросянц К.О., Смирнов Д.С., Кожухов М.В.
Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A.
Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozynko P.A., Popov A.A.
Electronic Components Thermal Regimes Investigation by IR Thermography |
| | | Петросянц К.О.
Моделирование тепловых режимов электронных компонентов |
| | | Петросянц К.О., Смирнов Д.С., Кожухов М.В.
Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М.
Сравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Попов Д.А.
Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева |
| | | Петросянц К.О., Кожухов М.В.
SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов |
| 2014 | |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M.
Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence |
| 2015 | |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V.
IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors |
| | | Петросянц К.О., Кожухов М.В.
Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора |
| | | Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М.
Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком |
| | | Лебедев В., Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.
Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС |
| | | Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Mokeev A.S.
Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Олухов В.М.
Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в Spice-моделях биполярных транзисторов и диодов |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Определение параметров Spice-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (-60 °C … +125 °C) |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В.
Автоматизация измерений электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации |
| 2016 | |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерение электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации |
| | | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации |
| | | Petrosyants K.O., Lebedev S.V., Sambursky L.M., Stakhin V.G., Kharitonov I.A.
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C) |
| 2018 | |
| | | Петросянц К.О.
Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры |
| | | Петросянц К.О., Исмаил-Заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до -200°С |
| | | Лебедев С.В., Петросянц К.О., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС |
| | | Петросянц К.О.
Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях |
| | | Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А.
Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов |
| | | Петросянц К.О., Попов Д.А.
Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида |
| 2020 | |
| | | Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V., Ismail-zade M.R., Kharitonov I.A.
SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from-200? C to+ 300? C) |
| | | Petrosyants K.O., Ismail-zade M.R., Sambursky L.M.
The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range |
| | | Petrosyants K.O., Popov D.A.
Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers |
| | | Петросянц К.О., Харитонов И.А.
Улучшенная процедура электро-теплового моделирование силовых ДМОП каскадов ИС |
| | | Petrosyants K.O., Popov D.A., Ismail-zade M.R., Sambursky L.M., Bo Li, Wang Y.C.
Tcad and spice models for account of radiation effects in nanoscale mosfet structures |
| | | Petrosyants K.O., Ismail-zade M.R., Sambursky L.M.
Compact Si JFET model for cryogenic temperature |
| | | Petrosyants K.O., Rjabov N.I.
Quasi-3D Thermal Simulation of Integrated Circuit Systems in Packages |
| 2021 | |
| | | Петросянц К.О., Силкин Д.С., Попов Д.А., Bo Li, Xu Zhang
TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации |
| | | Петросянц К.О., Силкин Д.С., Попов Д.А.
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET |
| | | Yuchong Wang, Fanyu Liu, Bo Li, Binhong Li, Yang Huang, Can Yang, Junjun Zhang, Guoqing Wang, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, Petrosyants K.O.
Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-mkm DSOI CMOS Technology |
| |
