Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
Авторы
 Петросянц К.О.
 Торговников Р.А.
Год публикации
 2008
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Торговников Р.А. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора. Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 231-234.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН