Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком
Авторы
 Петросянц К.О.
 Попов Д.А.
 Самбурский Л.М.
Год публикации
 2015
Тип работы
 статья в научном журнале
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком. Известия ВУЗов. Электроника. 2015. № 1. С. 38-43.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН