Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации
Авторы
 Петросянц К.О.
 Силкин Д.С.
 Попов Д.А.
 Bo Li
 Xu Zhang
Год публикации
 2021
Тип работы
 статья в научном журнале
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Силкин Д.С., Попов Д.А., Bo Li, Xu Zhang TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2021. Т. 26. № 5. С. 374-386. doi: 10.24151/1561-5405-2021-26-5-374-386.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН