Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
Авторы
 Petrosyants K.O.
 Orekhov E.V.
 Kharitonov I.A.
 Popov D.A.
Год публикации
 2013
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Kharitonov I.A., Popov D.A. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs. Proc. SPIE, International Conference Micro- and Nano-Electronics, 870016. 2013. Vol. 8700. P. 16.1-16.6. doi:10.1117/12.2017550.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН