|
|
| Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора |
|
|
| Авторы |
| | Петросянц К.О. |
| | Кожухов М.В. |
| Год публикации |
| | 2015 |
| Тип работы |
| | статья в научном журнале |
|
| Ссылка на статью |
| | Петросянц К.О., Кожухов М.В. Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора. Известия ВУЗов. Электроника. 2015. Т. 20. № 6. С. 648-651. |
|
|
Сайт ИППМ
Сайт ИнфоМЭС
Обратная связь
|
Copyright © 2012-2025 ИППМ РАН. All Rights Reserved. Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года. |
Разработка сайта - ИППМ РАН
|