|
Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора |
|
|
Авторы |
| Петросянц К.О. |
| Кожухов М.В. |
Год публикации |
| 2015 |
Тип работы |
| статья в научном журнале |
|
Ссылка на статью |
| Петросянц К.О., Кожухов М.В. Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора. Известия ВУЗов. Электроника. 2015. Т. 20. № 6. С. 648-651. |
|
|
Сайт ИППМ
Сайт ИнфоМЭС
Обратная связь
|
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved. Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года. |
Разработка сайта - ИППМ РАН
|