Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects
Авторы
 Petrosyants K.O.
 Kharitonov I.A.
 Sambursky L.M.
 Mokeev A.S.
Год публикации
 2015
Тип работы
 текст доклада на конференции
Ссылка на статью
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Mokeev A.S. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects. Proc. Radiation Effects on Components and Systems (RADECS). Moscow, 14?18 Sept., 2015. PA-3.
Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь
Copyright © 2012-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.
Разработка сайта - ИППМ РАН