Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.

2011
		Кожухов М.В., Торговников Р.А. Приборное и схемотехническое моделирование характеристик Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного облучения
		Petrosyants K.O., Vologdin E.N., Smirnov D.A., Torgovnikov R.A., Kozhukhov M.V. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
2012
		Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы
		Кожухов М.В., Торговников Р.А. Компактная SPICE модель Si БТ и SiGe, учитывающая воздействие нейтронного облучения
2013
		Петросянц К.О., Смирнов Д.С., Кожухов М.В. Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов
		Петросянц К.О., Смирнов Д.С., Кожухов М.В. Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации
		Петросянц К.О., Кожухов М.В. SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов
2014
		Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence
2015
		Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V. IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors
		Петросянц К.О., Кожухов М.В. Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора
		Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В. Автоматизация измерений электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
		Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС
2016
		Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В. Измерение электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
		Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации
2018
		Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
2020
		Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V., Ismail-zade M.R., Kharitonov I.A. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from-200? C to+ 300? C)