Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.

2005
		Торговников Р.А. Приборно-технологическое моделирование SiGe биполярных и МОП транзисторных структур СБИС
2006
		Петросянц К.О., Торговников Р.А. Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора
2008
		Торговников Р.А. Приборно-технологические и схемотехнические модели транзисторов БиКМОП СБИС, изготовленных по кремний-германиевой технологии
		Петросянц К.О., Торговников Р.А. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
2011
		Петросянц К.О., Торговников Р.А. Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора
		Кожухов М.В., Торговников Р.А. Приборное и схемотехническое моделирование характеристик Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного облучения
		Петросянц К.О., Торговников Р.А. Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учётом эффекта саморазогрева
		Petrosyants K.O., Vologdin E.N., Smirnov D.A., Torgovnikov R.A., Kozhukhov M.V. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
		Торговников Р.А. Влияние эффекта саморазогрева на электрические параметры SiGe биполярных гетеропереходных транзисторных структур
2012
		Кожухов М.В., Торговников Р.А. Компактная SPICE модель Si БТ и SiGe, учитывающая воздействие нейтронного облучения
2013
		Орехов Е.В., Пугачев А.А., Самбурский Л.М., Торговников Р.А. Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ
2014
		Orekhov E.V., Sambursky L.M., Torgovnikov R.A., Pugachev A.A. Modeling of mobility degradation in electron-irradiated SiGe p-type MOSFETs with different Ge concentration
		Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Торговников Р.А., Пугачев А.А. Приборно-технологическая модель p-канального SiGe S/D ГМОПТ с учетом эффектов воздействия электронного излучения